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STD17NF03LT4

STD17NF03LT4 STMicroelectronics

752589934732985cd000.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details STD17NF03LT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD17NF03LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 16V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STD17NF03LT4 STD17NF03LT4 Hersteller : STMicroelectronics 752589934732985cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD17NF03LT4 STD17NF03LT4 Hersteller : STMicroelectronics STD17NF03LT4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
105+0.68 EUR
127+0.56 EUR
246+0.29 EUR
260+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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STD17NF03LT4 STD17NF03LT4 Hersteller : STMicroelectronics STD17NF03LT4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
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STD17NF03LT4 STD17NF03LT4 Hersteller : STMicroelectronics CD00002145-250065.pdf MOSFETs N-Ch 30 Volt 17 Amp
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STD17NF03LT4 STD17NF03LT4 Hersteller : STMicroelectronics STD17NF03L%28-1%29.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
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13+1.43 EUR
18+1.03 EUR
100+0.70 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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STD17NF03LT4 STD17NF03LT4 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS36064-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD17NF03LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7623 Stücke:
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STD17NF03LT4 STD17NF03LT4 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS36064-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD17NF03LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
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STD17NF03LT4 Hersteller : ST STD17NF03L%28-1%29.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 16V; 60mOhm; 17A; 30W; -55°C ~ 175°C; STD17NF03LT4 STD17NF03L TSTD17NF03L
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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Produktcode: 117816
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
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