Weitere Produktangebote STD17NF03LT4 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 31309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 31309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 1029 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3398 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STD17NF03LT4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 30 Volt 17 Amp |
auf Bestellung 2635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STD17NF03LT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD17NF03LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 16V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
auf Bestellung 6800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
STD17NF03LT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD17NF03LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 16V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
auf Bestellung 6800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STD17NF03LT4 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 16V; 60mOhm; 17A; 30W; -55°C ~ 175°C; STD17NF03LT4 STD17NF03L TSTD17NF03LAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
| STD17NF03LT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.25 EUR |
| STD17NF03LT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.25 EUR |
| STD17NF03LT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.39 EUR |
| STD17NF03LT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 31309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 346+ | 0.51 EUR |
| STD17NF03LT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 31309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 346+ | 0.51 EUR |
| STD17NF03LT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 1029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 91+ | 0.94 EUR |
| 124+ | 0.69 EUR |
| 158+ | 0.54 EUR |
| 177+ | 0.48 EUR |
| 204+ | 0.42 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| STD17NF03LT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 1.57 EUR |
| 22+ | 0.98 EUR |
| 100+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| STD17NF03LT4 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 30 Volt 17 Amp
MOSFETs N-Ch 30 Volt 17 Amp
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.71 EUR |
| 10+ | 1.06 EUR |
| 100+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.48 EUR |
| 2500+ | 0.42 EUR |
| 5000+ | 0.37 EUR |
| STD17NF03LT4 |
![]() |
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD17NF03LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD17NF03LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STD17NF03LT4 |
![]() |
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD17NF03LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD17NF03LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STD17NF03LT4 |
![]() |
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 16V; 60mOhm; 17A; 30W; -55°C ~ 175°C; STD17NF03LT4 STD17NF03L TSTD17NF03L
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 16V; 60mOhm; 17A; 30W; -55°C ~ 175°C; STD17NF03LT4 STD17NF03L TSTD17NF03L
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.81 EUR |






