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STD18N55M5

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Produktcode: 89163
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STD18N55M5 STD18N55M5 Hersteller : STMicroelectronics std18n55m5.pdf Description: MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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STD18N55M5 STD18N55M5 Hersteller : STMicroelectronics std18n55m5-1850398.pdf MOSFET N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS
auf Bestellung 4438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.1 EUR
10+4.58 EUR
100+3.77 EUR
250+3.75 EUR
500+3.2 EUR
1000+2.83 EUR
2500+2.64 EUR
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STD18N55M5 STD18N55M5 Hersteller : STMicroelectronics std18n55m5.pdf Description: MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
auf Bestellung 2623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.04 EUR
10+3.95 EUR
100+2.77 EUR
500+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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STD18N55M5 STD18N55M5 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0012184992-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD18N55M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 13 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STD18N55M5 STD18N55M5 Hersteller : STMicroelectronics std18n55m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD18N55M5 STD18N55M5 Hersteller : STMicroelectronics std18n55m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD18N55M5 Hersteller : STM std18n55m5.pdf MOSFET N-CH 550V 13A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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