STD18N65M5

STD18N65M5 STMicroelectronics


stb18n65m5.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STD18N65M5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD18N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 110W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.198ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote STD18N65M5 nach Preis ab 2.18 EUR bis 5.53 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STD18N65M5 STD18N65M5 Hersteller : STMicroelectronics STD18N65M5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.80 EUR
20+3.60 EUR
25+2.96 EUR
26+2.80 EUR
250+2.72 EUR
500+2.70 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N65M5 STD18N65M5 Hersteller : STMicroelectronics STD18N65M5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.80 EUR
20+3.60 EUR
25+2.96 EUR
26+2.80 EUR
250+2.72 EUR
500+2.70 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N65M5 STD18N65M5 Hersteller : STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
auf Bestellung 5397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.37 EUR
10+3.82 EUR
100+2.68 EUR
500+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N65M5 STD18N65M5 Hersteller : STMicroelectronics stb18n65m5.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
auf Bestellung 4568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.53 EUR
10+3.98 EUR
25+3.78 EUR
100+2.89 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.20 EUR
2500+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N65M5 STD18N65M5 Hersteller : STMICROELECTRONICS stb18n65m5.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD18N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N65M5 STD18N65M5 Hersteller : STMICROELECTRONICS stb18n65m5.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD18N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.198ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N65M5 STD18N65M5 Hersteller : STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD18N65M5 Hersteller : STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH