STD1NK60T4 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
On-state resistance: 8.5Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 56+ | 1.29 EUR |
| 75+ | 0.96 EUR |
| 95+ | 0.76 EUR |
| 106+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.53 EUR |
| 1000+ | 0.48 EUR |
| 2500+ | 0.42 EUR |
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Technische Details STD1NK60T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STD1NK60T4 nach Preis ab 0.59 EUR bis 2.34 EUR
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Technology: SuperMesh™ Drain current: 1A Power dissipation: 30W On-state resistance: 8.5Ω Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 600V Case: DPAK Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH |
auf Bestellung 8292 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 36665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 24310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD1NK60T4 Produktcode: 118373
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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| STD1NK60T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V |
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