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STD1NK60T4

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Produktcode: 118373
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+2.05 EUR
51+1.69 EUR
58+1.48 EUR
84+1.02 EUR
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500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMicroelectronics std1nk60t4.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
auf Bestellung 2149 Stücke:
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7+3.25 EUR
11+2.06 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMICROELECTRONICS std1nk60t4.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
auf Bestellung 33852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
118+1.98 EUR
176+1.21 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006740201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
auf Bestellung 33852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.38 EUR
118+1.98 EUR
176+1.21 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
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STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMicroelectronics std1nk60t4.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH
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10+2.12 EUR
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STD1NK60T4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD1NK60T4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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STD1NK60T4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Dauer-Drainstrom Id: 500mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
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auf Bestellung 3433 Stücke:
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