Weitere Produktangebote STD1NK60T4 nach Preis ab 0.35 EUR bis 2.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1A Power dissipation: 30W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH |
auf Bestellung 3663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 36552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD1NK60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 36552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD1NK60T4 | Hersteller : STM |
N-ch. 600V 1A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD1NK60T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V |
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