
STD25NF10LA STMicroelectronics
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Technische Details STD25NF10LA STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STD25NF10LA nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.22 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STD25NF10LA | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V |
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![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Case: DPAK Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD25NF10LA | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Case: DPAK Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V |
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![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V |
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STD25NF10LA | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STD25NF10LA | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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