STD26NF10 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.15 EUR |
| 10+ | 2.36 EUR |
| 100+ | 1.61 EUR |
| 500+ | 1.28 EUR |
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Technische Details STD26NF10 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD26NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STD26NF10 nach Preis ab 1.04 EUR bis 3.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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STD26NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N Ch 100V 0.033 Ohm 25A |
auf Bestellung 2277 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD26NF10 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD26NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7056 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD26NF10 |
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auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STD26NF10 Produktcode: 170563
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Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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| STD26NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD26NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD26NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |