STD2LN60K3 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD2LN60K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 130+ | 1.93 EUR |
| 148+ | 1.57 EUR |
| 197+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.95 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| 5000+ | 0.69 EUR |
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Technische Details STD2LN60K3 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD2LN60K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote STD2LN60K3 nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STD2LN60K3 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD2LN60K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 14994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD2LN60K3 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET |
auf Bestellung 9298 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD2LN60K3 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 600V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V |
auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STD2LN60K3 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD2LN60K3 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD2LN60K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - STD2LN60K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 120+ | 2.09 EUR |
| 137+ | 1.7 EUR |
| 197+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 5000+ | 0.68 EUR |
| STD2LN60K3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
MOSFETs N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
auf Bestellung 9298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.68 EUR |
| 10+ | 1.57 EUR |
| 100+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 2500+ | 0.65 EUR |
| STD2LN60K3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
Description: MOSFET N CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.75 EUR |
| 13+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.14 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
| STD2LN60K3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 121+ | 1.46 EUR |
| 138+ | 1.24 EUR |
| 140+ | 1.18 EUR |