STD30N10F7 STMicroelectronics
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Technische Details STD30N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD30N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 50, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
Weitere Produktangebote STD30N10F7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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STD30N10F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STD30N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 50 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 50 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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STD30N10F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD30N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 50 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD30N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STD30N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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.jpg "STD30N10F7") |
STD30N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 50 V |
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STD30N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 50 V |
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