STD35P6LLF6 STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details STD35P6LLF6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD35P6LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F6, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STD35P6LLF6 nach Preis ab 0.75 EUR bis 3.12 EUR
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STD35P6LLF6 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD35P6LLF6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD35P6LLF6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 60V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V |
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STD35P6LLF6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; 70W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1147 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD35P6LLF6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; 70W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD35P6LLF6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs P-channel 60 V, 0.025 Ohm typ., 35 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package |
auf Bestellung 8793 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD35P6LLF6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 60V 35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7515 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD35P6LLF6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD35P6LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD35P6LLF6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD35P6LLF6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD35P6LLF6 | Hersteller : ST |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 36mOhm; 35A; 70W; -55°C ~ 175°C; STD35P6LLF6 TSTD35p6llf6 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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