STD3NK100Z STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details STD3NK100Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.5 A, 5.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STD3NK100Z nach Preis ab 1.26 EUR bis 4.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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STD3NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD3NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD3NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD3NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD3NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD3NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs Hi Vltg NPN Zener SuperMESH |
auf Bestellung 5177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD3NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V |
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STD3NK100Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.5 A, 5.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STD3NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD3NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STD3NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
STD3NK100Z SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD3NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V |
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