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STD3NK100Z

STD3NK100Z STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
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2500+1.65 EUR
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Technische Details STD3NK100Z STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 90W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm.

Weitere Produktangebote STD3NK100Z nach Preis ab 1.55 EUR bis 7.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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2500+1.67 EUR
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STD3NK100Z STD3NK100Z STMicroelectronics en.cd00158273.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STD3NK100Z STD3NK100Z STMicroelectronics en.cd00158273.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 152500 Stücke:
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STD3NK100Z STD3NK100Z STMicroelectronics en.CD00158273.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD3NK100Z STD3NK100Z STMicroelectronics en.cd00158273.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 67 Stücke:
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44+4.07 EUR
53+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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STD3NK100Z STD3NK100Z STMicroelectronics en.cd00158273.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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44+4.07 EUR
53+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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STD3NK100Z STD3NK100Z STMicroelectronics en.CD00158273.pdf MOSFETs Hi Vltg NPN Zener SuperMESH
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10+3.72 EUR
100+2.64 EUR
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STD3NK100Z STD3NK100Z STMicroelectronics en.CD00158273.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
auf Bestellung 4023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.24 EUR
10+4.06 EUR
50+3.12 EUR
100+2.82 EUR
500+2.28 EUR
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STD3NK100Z STD3NK100Z STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005454631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 429 Stücke:
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35+7.32 EUR
58+4.06 EUR
100+2.73 EUR
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STD3NK100Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
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auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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53+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+4.07 EUR
53+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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MOSFETs Hi Vltg NPN Zener SuperMESH
auf Bestellung 1521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.14 EUR
10+3.72 EUR
100+2.64 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.12 EUR
2500+2.07 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
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4+6.24 EUR
10+4.06 EUR
50+3.12 EUR
100+2.82 EUR
500+2.28 EUR
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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35+7.32 EUR
58+4.06 EUR
100+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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