STD3NK60Z1 STMicroelectronics
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Technische Details STD3NK60Z1 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm.
Weitere Produktangebote STD3NK60Z1 nach Preis ab 0.4 EUR bis 2.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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STD3NK60Z1 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD3NK60Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V |
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STD3NK60Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A |
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STD3NK60Z-1 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm |
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STD3NK60Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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| STD3NK60Z-1 | Hersteller : ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK STD3NK60Z-1 TSTD3NK60Z-1 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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| STD3NK60Z-1 | Hersteller : ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK STD3NK60Z-1 TSTD3NK60Z-1 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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STD3NK60Z-1 (IPAK, ST) Produktcode: 114501 |
Hersteller : ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: IPAK Uds,V: 600 V Idd,A: 2,4 A Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 311/11,8 JHGF: THT |
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STD3NK60Z1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD3NK60Z1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD3NK60Z1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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| STD3NK60Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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STD3NK60Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD3NK60Z-1 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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