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STD3NK60Z-1

en.CD00003099.pdf
Hersteller: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK STD3NK60Z-1 TSTD3NK60Z-1
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Technische Details STD3NK60Z-1 ST

Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD3NK60Z-1 STD3NK60Z-1 STMicroelectronics en.cd00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 34675 Stücke:
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274+0.64 EUR
286+0.61 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
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STD3NK60Z-1 STD3NK60Z-1 STMicroelectronics en.cd00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 34675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+0.8 EUR
276+0.62 EUR
288+0.57 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.44 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
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STD3NK60Z-1 STD3NK60Z-1 STMicroelectronics std3nk60z-1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+2.02 EUR
80+1.07 EUR
110+0.77 EUR
150+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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STD3NK60Z-1 STD3NK60Z-1 STMicroelectronics en.CD00003099.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
75+1.33 EUR
150+1.19 EUR
525+0.99 EUR
1050+0.9 EUR
2025+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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STD3NK60Z-1 STD3NK60Z-1 STMicroelectronics en.CD00003099.pdf MOSFETs N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A
auf Bestellung 3916 Stücke:
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2+3.01 EUR
10+1.33 EUR
100+1.19 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STD3NK60Z-1 STD3NK60Z-1 STMICROELECTRONICS 2307463.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STD3NK60Z-1 ST en.CD00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK STD3NK60Z-1 TSTD3NK60Z-1
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
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Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
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Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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STD3NK60Z-1
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A
auf Bestellung 3916 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+3.01 EUR
10+1.33 EUR
100+1.19 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.83 EUR
6000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD3NK60Z-1 2307463.pdf
STD3NK60Z-1
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK STD3NK60Z-1 TSTD3NK60Z-1
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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