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STD3NK80Z-1

STD3NK80Z-1

std3nk80z1-dataheet.pdf
Produktcode: 114732
Hersteller: ST
Gehäuse: IPAK
Uds,V: 800 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 4,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 485/19
JHGF: THT
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Hersteller : STMicroelectronics std3nk80z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 9455 Stücke:
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2025+0.9 EUR
5025+0.83 EUR
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Hersteller : STMicroelectronics std3nk80z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Hersteller : STMicroelectronics STF3NK80Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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88+0.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 39
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003377.pdf MOSFETs N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
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10+1.66 EUR
100+1.54 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.35 EUR
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003377.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
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5+4.07 EUR
75+1.89 EUR
150+1.7 EUR
525+1.45 EUR
1050+1.33 EUR
2025+1.24 EUR
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003061510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.25 A, 3.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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STD3NK80Z-1 Hersteller : ST en.CD00003377.pdf Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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Mindestbestellmenge: 75
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STD3NK80Z-1 Hersteller : ST en.CD00003377.pdf Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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STD3NK80Z-1 Hersteller : ST en.CD00003377.pdf Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Hersteller : STMicroelectronics std3nk80z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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10uF 400V ESG 10x20mm (ESG100M2GBA-Hitano)
Produktcode: 18649
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ESG_080319.pdf
10uF 400V ESG 10x20mm (ESG100M2GBA-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 400V
Reihe: ESG-für Ballast lange Lebensdauer
Temp.Bereich: -25...+105°C
Abmessungen: 10x20mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
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1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3314
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RC_series.pdf
1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 2122 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20000 St.:
20000 St. - erwartet 10.05.2026
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100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BZX55-C18
Produktcode: 2473
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BZX55.pdf
BZX55-C18
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
auf Bestellung 364 St.:
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Anzahl Preis
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10+0.03 EUR
100+0.028 EUR
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2200uF 50V EXR 18x36mm (EXR222M50B-Hitano)
Produktcode: 2453
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EXR_080421.pdf
2200uF 50V EXR 18x36mm (EXR222M50B-Hitano)
+1
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 18x36mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 12 St.
erwartet: 1000 St.
1000 St. - erwartet
Anzahl Preis
1+0.98 EUR
10+0.81 EUR
100+0.64 EUR
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VCR-14D511K
Produktcode: 1980
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VCR-14D_081201.pdf
VCR-14D511K
Hersteller: Hitano
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 320/415
S.var., V: 510(459-561)
Max.Spannung und Aktiviwerungsstrom, V@A: 845@50
Imax.(8/20mcs): 4500
Leistung, Watt: 0,6
Kapazität, pF: 390
Größe: 14D
verfügbar: 616 St.
30 St. - stock Köln
586 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.18 EUR
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1000+0.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH