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STD3NK80Z-1

STD3NK80Z-1

std3nk80z1-dataheet.pdf
Produktcode: 114732
Hersteller: ST
Gehäuse: IPAK
Uds,V: 800 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 4,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 485/19
JHGF: THT
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Hersteller : STMicroelectronics std3nk80z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4140 Stücke:
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Hersteller : STMicroelectronics std3nk80z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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331+0.43 EUR
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003377.pdf MOSFETs N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
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10+1.3 EUR
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003377.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
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7+2.8 EUR
75+1.35 EUR
150+1.27 EUR
525+1.23 EUR
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Hersteller : STMicroelectronics std3nk80z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.CD00003377.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.25 A, 3.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STD3NK80Z-1 Hersteller : ST en.CD00003377.pdf Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
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STD3NK80Z-1 Hersteller : ST en.CD00003377.pdf Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
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STD3NK80Z-1 Hersteller : ST en.CD00003377.pdf Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
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STD3NK80Z-1 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003377.pdf STD3NK80Z-1 THT N channel transistors
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148+0.48 EUR
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Kapazität: 10uF
Nennspannung: 400V
Reihe: ESG-für Ballast lange Lebensdauer
Temp.Bereich: -25...+105°C
Abmessungen: 10x20mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
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DB3
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Gehäuse: DO-35
U,zu,V: 28-36V
Imax,A: 2A
verfügbar: 12196 Stück
107 Stück - stock Köln
12089 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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L78L05ABUTR
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-89
Uin, V: 30
Uout,V: 5
Iout,A: 0.1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: -40...125
verfügbar: 1258 Stück
30 Stück - stock Köln
1228 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 3000 Stück
3000 Stück - erwartet 06.12.2025
Anzahl Preis
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10+0.18 EUR
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IRFU9210
Produktcode: 77978
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91281tg453d4d.pdf
IRFU9210
Hersteller: Vishay
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 200
Id,A: 1.9
Rds(on),Om: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 170/8.9
Gebr.: MOSFET
/: THT
auf Bestellung 220 Stück:
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Anzahl Preis
1+0.29 EUR
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AG13 батарейка часовая щелочная (AG13-10BC), VIDEX (SR44/LR44/103/157)
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AG13 батарейка часовая щелочная (AG13-10BC), VIDEX (SR44/LR44/103/157)
Hersteller: VIDEX
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Material: лужна
Größe: AG13/LR44
Spannung: 1,5 V
Таблетка
auf Bestellung 525 Stück:
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erwartet 50 Stück:
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