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STD3NK80Z-1

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Hersteller: ST
Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
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Technische Details STD3NK80Z-1 ST

Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.25 A, 3.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 70W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm.

Weitere Produktangebote STD3NK80Z-1 nach Preis ab 1.02 EUR bis 5.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 STMicroelectronics std3nk80z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 11723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.84 EUR
101+1.73 EUR
150+1.57 EUR
525+1.36 EUR
1050+1.32 EUR
2025+1.29 EUR
5025+1.18 EUR
10050+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 STMicroelectronics std3nk80z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 11730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.86 EUR
101+1.7 EUR
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5025+1.05 EUR
10050+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 STMicroelectronics STF3NK80Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 780 Stücke:
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28+3.15 EUR
37+2.31 EUR
44+1.98 EUR
53+1.62 EUR
60+1.43 EUR
75+1.31 EUR
150+1.19 EUR
525+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 STMicroelectronics en.CD00003377.pdf MOSFETs N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
auf Bestellung 3402 Stücke:
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1+5.15 EUR
10+2.26 EUR
100+2.09 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.59 EUR
3000+1.52 EUR
6000+1.46 EUR
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 STMicroelectronics en.CD00003377.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.3 EUR
75+2.46 EUR
150+2.23 EUR
525+1.88 EUR
1050+1.74 EUR
2025+1.62 EUR
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STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003061510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.25 A, 3.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
auf Bestellung 2589 Stücke:
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44+5.72 EUR
109+2.13 EUR
116+1.86 EUR
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STD3NK80Z-1 ST en.CD00003377.pdf Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
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STD3NK80Z-1 ST en.CD00003377.pdf Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 11730 Stücke:
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
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1050+1.74 EUR
2025+1.62 EUR
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STD3NK80Z-1 SGST-S-A0003061510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD3NK80Z-1
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.25 A, 3.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
auf Bestellung 2589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.72 EUR
109+2.13 EUR
116+1.86 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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Hersteller: ST
Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
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