STD3NK90ZT4 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
auf Bestellung 1906 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 5+ | 5.33 EUR |
| 10+ | 4.41 EUR |
| 100+ | 3.51 EUR |
| 500+ | 2.97 EUR |
| 1000+ | 2.52 EUR |
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Technische Details STD3NK90ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STD3NK90ZT4 nach Preis ab 2.49 EUR bis 5.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STD3NK90ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 900 Volt 3.0Amp Zener SuperMESH |
auf Bestellung 1940 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STD3NK90ZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 7247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD3NK90ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD3NK90ZT4 Produktcode: 88372 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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STD3NK90ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD3NK90ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STD3NK90ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD3NK90ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3A Power dissipation: 12W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD3NK90ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V |
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STD3NK90ZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3A Power dissipation: 12W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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