STD4NK100Z STMicroelectronics
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Technische Details STD4NK100Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 5.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STD4NK100Z nach Preis ab 1.76 EUR bis 4.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STD4NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
 MOSFETs Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.6 Ohm typ 2.2 A SuperMESH Power MOSFET |
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STD4NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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STD4NK100Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STD4NK100Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 90W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STD4NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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| STD4NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD4NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD4NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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| STD4NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; Idm: 8.8A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 8.8A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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STD4NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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| STD4NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; Idm: 8.8A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 8.8A |
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