STD4NK50Z-1

STD4NK50Z-1 STMicroelectronics


STD4NK50Z-1.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2700mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 135 Stücke:

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Technische Details STD4NK50Z-1 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 3A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: I-PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STD4NK50Z-1 STD4NK50Z-1 Hersteller : STMicroelectronics STD4NK50Z-1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2700mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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STD4NK50Z-1 Hersteller : ST en.CD00003100.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 2,7Ohm; 3A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD4NK50Z-1 TSTD4NK50Z-1
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STD4NK50Z1 Hersteller : ST
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Produktcode: 39125
en.CD00003100.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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STD4NK50Z-1 STD4NK50Z-1 Hersteller : STMicroelectronics en.cd00003100.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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STD4NK50Z-1 STD4NK50Z-1 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003100.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
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STD4NK50Z-1 STD4NK50Z-1 Hersteller : STMicroelectronics cd00003100-1796094.pdf MOSFET N-Ch, 500V-2.4ohms Zener SuperMESH 3A
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