STD5N60DM2

STD5N60DM2 STMicroelectronics


1691191333011511d8.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STD5N60DM2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD5N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote STD5N60DM2 nach Preis ab 0.46 EUR bis 1.11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STD5N60DM2 STD5N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics 1691191333011511d8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5N60DM2 STD5N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics 1691191333011511d8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
149+0.99 EUR
176+0.81 EUR
216+0.64 EUR
228+0.58 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5N60DM2 STD5N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics std5n60dm2-1850554.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.09 EUR
10+0.94 EUR
100+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5N60DM2 STD5N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00310377.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 100 V
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.11 EUR
19+0.96 EUR
100+0.66 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5N60DM2 STD5N60DM2 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.DM00310377.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD5N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5N60DM2 STD5N60DM2 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.DM00310377.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD5N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5N60DM2 STD5N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics 1691191333011511d8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics 1691191333011511d8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5N60DM2 STD5N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics 1691191333011511d8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5N60DM2 STD5N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics 1691191333011511d8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5N60DM2 STD5N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics 1691191333011511d8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5N60DM2 STD5N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics 1691191333011511d8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00310377.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5N60DM2 STD5N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00310377.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5N60DM2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00310377.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH