STD5N60DM2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.2 EUR |
| 10+ | 1.05 EUR |
| 100+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
| 2500+ | 0.58 EUR |
| 5000+ | 0.57 EUR |
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Technische Details STD5N60DM2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STD5N60DM2 nach Preis ab 1.07 EUR bis 2.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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STD5N60DM2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 1.75A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 100 V |
auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD5N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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STD5N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STD5N60DM2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 100 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.57 EUR |
| 13+ | 1.63 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
| STD5N60DM2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STD5N60DM2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)