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STD5NM60T4

STD5NM60T4 STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details STD5NM60T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote STD5NM60T4 nach Preis ab 1.32 EUR bis 5.9 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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STD5NM60T4 STD5NM60T4 STMicroelectronics en.CD00002085.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.81 EUR
5000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD5NM60T4 STD5NM60T4 STMicroelectronics cd0000208.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1647 Stücke:
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96+1.84 EUR
97+1.8 EUR
99+1.73 EUR
100+1.67 EUR
250+1.61 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
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STD5NM60T4 STD5NM60T4 STMicroelectronics cd0000208.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.84 EUR
97+1.76 EUR
99+1.67 EUR
100+1.57 EUR
250+1.49 EUR
500+1.4 EUR
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STD5NM60T4 STD5NM60T4 STMICROELECTRONICS SGSTS35689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.23 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STD5NM60T4 STD5NM60T4 STMICROELECTRONICS SGSTS35689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STD5NM60T4 STD5NM60T4 STMicroelectronics en.CD00002085.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
auf Bestellung 1304 Stücke:
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1+5.74 EUR
10+2.92 EUR
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500+1.93 EUR
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STD5NM60T4 STD5NM60T4 STMicroelectronics en.CD00002085.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 6652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.9 EUR
10+3.83 EUR
100+2.65 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STD5NM60T4 ST en.CD00002085.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55°C ~ 150°C; STD5NM60T4 TSTD5NM60t4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
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20+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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STD5NM60T4 STMicroelectronics STD5NM60T4.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18 @ 10 В, Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 275 Stücke:
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.63 EUR
10000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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10000+1.58 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STD5NM60T4
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1647 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
96+1.84 EUR
97+1.8 EUR
99+1.73 EUR
100+1.67 EUR
250+1.61 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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96+1.84 EUR
97+1.76 EUR
99+1.67 EUR
100+1.57 EUR
250+1.49 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.32 EUR
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STD5NM60T4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.23 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD5NM60T4 SGSTS35689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD5NM60T4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1121 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
79+3.18 EUR
89+2.62 EUR
100+2.23 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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STD5NM60T4
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.74 EUR
10+2.92 EUR
100+2.15 EUR
500+1.93 EUR
2500+1.92 EUR
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STD5NM60T4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 6652 Stücke:
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4+5.9 EUR
10+3.83 EUR
100+2.65 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.07 EUR
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Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55°C ~ 150°C; STD5NM60T4 TSTD5NM60t4
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18 @ 10 В, Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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