STD5NM60T4 STMicroelectronics
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Technische Details STD5NM60T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 96W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.
Weitere Produktangebote STD5NM60T4 nach Preis ab 1.34 EUR bis 7.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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STD5NM60T4 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD5NM60T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD5NM60T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD5NM60T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD5NM60T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD5NM60T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD5NM60T4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD5NM60T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6556 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD5NM60T4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD5NM60T4 | ST |
STD5NM60T4 Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55°C ~ 150°C; TSTD5NM60t4 |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STD5NM60T4 | STMicroelectronics |
N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18 @ 10 В, Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 275 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STD5NM60T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.67 EUR |
| 10000+ | 1.58 EUR |
| STD5NM60T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.67 EUR |
| 10000+ | 1.62 EUR |
| STD5NM60T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.68 EUR |
| STD5NM60T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 96+ | 1.89 EUR |
| 97+ | 1.83 EUR |
| 99+ | 1.77 EUR |
| 100+ | 1.7 EUR |
| 250+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.54 EUR |
| STD5NM60T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 96+ | 1.89 EUR |
| 97+ | 1.8 EUR |
| 99+ | 1.7 EUR |
| 100+ | 1.61 EUR |
| 250+ | 1.52 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.34 EUR |
| STD5NM60T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.94 EUR |
| STD5NM60T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.15 EUR |
| 10+ | 3.06 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.07 EUR |
| 1000+ | 2.05 EUR |
| 2500+ | 1.92 EUR |
| STD5NM60T4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 6556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.37 EUR |
| 10+ | 4.12 EUR |
| 50+ | 3.15 EUR |
| 100+ | 2.84 EUR |
| 500+ | 2.31 EUR |
| STD5NM60T4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 7.22 EUR |
| 69+ | 3.42 EUR |
| 100+ | 2.59 EUR |
| 500+ | 2.17 EUR |
| STD5NM60T4 |
|
Hersteller: ST
STD5NM60T4 Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55°C ~ 150°C; TSTD5NM60t4
STD5NM60T4 Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55°C ~ 150°C; TSTD5NM60t4
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 2.26 EUR |
| STD5NM60T4 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18 @ 10 В, Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18 @ 10 В, Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 275 Stücke: