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STD60NF55LAT4

STD60NF55LAT4 STMicroelectronics

STD60NF55LA.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details STD60NF55LAT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD60NF55LAT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote STD60NF55LAT4 nach Preis ab 1.08 EUR bis 4.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STD60NF55LAT4 STD60NF55LAT4 STMICROELECTRONICS STD60NF55LA.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD60NF55LAT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
102+2.12 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD60NF55LAT4 STD60NF55LAT4 STMicroelectronics std60nf55lat4.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.34 EUR
77+2.27 EUR
100+2.02 EUR
200+1.69 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.36 EUR
2000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD60NF55LAT4 STD60NF55LAT4 STMicroelectronics STD60NF55LA.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.71 EUR
10+2.59 EUR
100+1.81 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD60NF55LAT4 STD60NF55LAT4 STMicroelectronics STD60NF55LA.pdf MOSFETs N-channel 55 V, 12 mOhm, 60 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 4749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+2.45 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.2 EUR
2500+1.08 EUR
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STD60NF55LAT4 STD60NF55LAT4 STMICROELECTRONICS STD60NF55LA.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD60NF55LAT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.88 EUR
74+3.15 EUR
102+2.12 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STD60NF55LAT4
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD60NF55LAT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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53+3.34 EUR
77+2.27 EUR
100+2.02 EUR
200+1.69 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.71 EUR
10+2.59 EUR
100+1.81 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.39 EUR
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MOSFETs N-channel 55 V, 12 mOhm, 60 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 4749 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+3.81 EUR
10+2.45 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.2 EUR
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Description: STMICROELECTRONICS - STD60NF55LAT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
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hazardous: false
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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