STD65N55F3 STMicroelectronics
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Technische Details STD65N55F3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD65N55F3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 32 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STD65N55F3 nach Preis ab 1.45 EUR bis 4.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STD65N55F3 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD65N55F3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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STD65N55F3 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs STripFET |
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STD65N55F3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD65N55F3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 32 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STD65N55F3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD65N55F3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STD65N55F3 | Hersteller : STMicroelectronics |
STD65N55F3 SMD N channel transistors |
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STD65N55F3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD65N55F3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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