STD6N60M2 STMicroelectronics
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Technische Details STD6N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STD6N60M2 nach Preis ab 0.65 EUR bis 3.06 EUR
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STD6N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD6N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD6N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 |
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STD6N60M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STD6N60M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STD6N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STD6N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD6N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STD6N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STD6N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.9A; Idm: 18A; 60W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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STD6N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V |
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STD6N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V |
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| STD6N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.9A; Idm: 18A; 60W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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