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Technische Details STD6N62K3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD6N62K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 620 V, 5.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 620V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STD6N62K3 nach Preis ab 3.74 EUR bis 5.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||
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STD6N62K3 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 706 pF @ 50 V |
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STD6N62K3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD6N62K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 620 V, 5.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 620V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 90W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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STD6N62K3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STD6N62K3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STD6N62K3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 706 pF @ 50 V |
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