STD6N62K3 STMicroelectronics
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Technische Details STD6N62K3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD6N62K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 620 V, 5.5 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 620V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 90W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.
Weitere Produktangebote STD6N62K3 nach Preis ab 0.89 EUR bis 6.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STD6N62K3 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD6N62K3 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD6N62K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 620 V, 5.5 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 620V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 90W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
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| STD6N62K3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| STD6N62K3 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD6N62K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 620 V, 5.5 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD6N62K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 620 V, 5.5 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
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