| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.04 EUR |
| 10+ | 1.76 EUR |
| 100+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| 2500+ | 1.39 EUR |
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Technische Details STD70N10F4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STD70N10F4 nach Preis ab 0.88 EUR bis 3.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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STD70N10F4 | STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1077 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD70N10F4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD70N10F4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD70N10F4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 11298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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STD70N10F4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 11298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STD70N10F4 |
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auf Bestellung 27600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STD70N10F4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.43 EUR |
| 10+ | 2 EUR |
| 100+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| STD70N10F4 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 39+ | 3.72 EUR |
| 65+ | 2.16 EUR |
| 66+ | 2.06 EUR |
| 100+ | 1.45 EUR |
| 250+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |
| STD70N10F4 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 39+ | 3.72 EUR |
| 65+ | 2.21 EUR |
| 66+ | 2.14 EUR |
| 100+ | 1.53 EUR |
| 250+ | 1.49 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| STD70N10F4 |
|
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| STD70N10F4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD70N10F4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STD70N10F4 |
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auf Bestellung 27600 Stücke:
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