STD80N4F6

STD80N4F6 STMicroelectronics


695895259493421dm00109418.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details STD80N4F6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD80N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET VI DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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STD80N4F6 STD80N4F6 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00109418.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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2500+0.97 EUR
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STD80N4F6 STD80N4F6 Hersteller : STMicroelectronics 695895259493421dm00109418.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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2500+1.01 EUR
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STD80N4F6 STD80N4F6 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00109418.pdf MOSFETs N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
auf Bestellung 1951 Stücke:
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2+2.29 EUR
10+1.68 EUR
100+1.33 EUR
250+1.32 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.12 EUR
2500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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STD80N4F6 STD80N4F6 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00109418.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Anzahl Preis
7+2.75 EUR
10+1.91 EUR
100+1.44 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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STD80N4F6 STD80N4F6 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.DM00109418.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD80N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STD80N4F6 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00109418.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Anzahl Preis
2500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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