STD85N10F7AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 1.37 EUR |
| 5000+ | 1.32 EUR |
| 12500+ | 1.28 EUR |
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Technische Details STD85N10F7AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD85N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 85W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STD85N10F7AG nach Preis ab 1.21 EUR bis 3.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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STD85N10F7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 70A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 20260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD85N10F7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ 70 A STripFET F7 Power MOSFET |
auf Bestellung 2869 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD85N10F7AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD85N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4656 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD85N10F7AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD85N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 85W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4671 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD85N10F7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STD85N10F7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |