Technische Details STD96N3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD96N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 70W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET VI DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm.
Weitere Produktangebote STD96N3LLH6 nach Preis ab 0.62 EUR bis 4.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD96N3LLH6 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
STD96N3LLH6 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
STD96N3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD96N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 70W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET VI DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm |
auf Bestellung 14399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
STD96N3LLH6 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2405 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
STD96N3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD96N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 70W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET VI DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm |
auf Bestellung 14399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| STD96N3LLH6 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.77 EUR |
| STD96N3LLH6 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 1.33 EUR |
| 79+ | 1.08 EUR |
| 90+ | 0.95 EUR |
| 109+ | 0.79 EUR |
| 137+ | 0.62 EUR |
| STD96N3LLH6 |
|
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD96N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD96N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 14399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.9 EUR |
| 130+ | 1.65 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| 1000+ | 1.18 EUR |
| 5000+ | 1.08 EUR |
| STD96N3LLH6 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.08 EUR |
| 11+ | 1.95 EUR |
| 100+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.02 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| STD96N3LLH6 |
|
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD96N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD96N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 14399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 52+ | 4.82 EUR |
| 80+ | 2.9 EUR |
| 130+ | 1.65 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| 1000+ | 1.18 EUR |
| 5000+ | 1.08 EUR |