STD96N3LLH6 STMicroelectronics
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Technische Details STD96N3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD96N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET VI DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STD96N3LLH6 nach Preis ab 0.63 EUR bis 0.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STD96N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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STD96N3LLH6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD96N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET VI DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STD96N3LLH6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD96N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET VI DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STD96N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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STD96N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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STD96N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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STD96N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STD96N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STD96N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD96N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
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STD96N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
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STD96N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI |
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| STD96N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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