STD9N60M6 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD9N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.67 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 126 Stücke:
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Technische Details STD9N60M6 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD9N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.67 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 76W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 76W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.67ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STD9N60M6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD9N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.67 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 76W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 76W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M6 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.67ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD9N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STD9N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STD9N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13.4A; 76W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 76W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 13.4A Gate charge: 10nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STD9N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 76W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 273 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STD9N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 670 mOhm typ., 6 A MDmesh M6 Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STD9N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13.4A; 76W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 76W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 13.4A Gate charge: 10nC |
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