STD9N60M6 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD9N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.67 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 76W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.67ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
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Technische Details STD9N60M6 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD9N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.67 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 76W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 76W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.67ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm.
Weitere Produktangebote STD9N60M6 nach Preis ab 2.74 EUR bis 4.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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STD9N60M6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD9N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.67 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 76W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M6 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm |
auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STD9N60M6 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD9N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.67 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD9N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.67 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
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