STD9N65M2 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD9N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.79 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm
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Technische Details STD9N65M2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD9N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.79 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 60W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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STD9N65M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD9N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.79 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STD9N65M2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD9N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.79 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: STMICROELECTRONICS - STD9N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.79 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)