STE145N65M5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET Modules N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 51.06 EUR |
| 10+ | 37.68 EUR |
| 100+ | 34.99 EUR |
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Technische Details STE145N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STE145N65M5 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 143 A, 650 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 143A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 679W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STE145N65M5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STE145N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STE145N65M5 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 143 A, 650 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 VtariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 143A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 679W Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STE145N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOPPackaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 69A, 10V Power Dissipation (Max): 679W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: ISOTOP® Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 414 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STE145N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 650V; 90A; ISOTOP; screw; Idm: 572A; 679W Polarisation: unipolar On-state resistance: 12mΩ Gate-source voltage: ±25V Drain current: 90A Pulsed drain current: 572A Power dissipation: 679W Drain-source voltage: 650V Kind of package: tube Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Case: ISOTOP Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |


