STE145N65M5

STE145N65M5 STMicroelectronics


en.DM00100413.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 679W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 414 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 100 V
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Technische Details STE145N65M5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STE145N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 143 A, 0.012 ohm, ISOTOP, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 143A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 679W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.

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STE145N65M5 STE145N65M5 Hersteller : STMicroelectronics ste145n65m5-1850535.pdf Discrete Semiconductor Modules N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ 143 A MDmesh M5 Power MOSFET
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STE145N65M5 STE145N65M5 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.DM00100413.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STE145N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 143 A, 0.012 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 679W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
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STE145N65M5 STE145N65M5 Hersteller : STMicroelectronics 742835348437430dm00100413.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 143A 4-Pin ISOTOP Tube
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STE145N65M5 Hersteller : STMicroelectronics 742835348437430dm00100413.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 143A 4-Pin ISOTOP Tube
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STE145N65M5 STE145N65M5 Hersteller : STMicroelectronics STE145N65M5-dte.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 90A; ISOTOP; screw; Idm: 572A; 679W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 90A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12mΩ
Pulsed drain current: 572A
Power dissipation: 679W
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STE145N65M5 STE145N65M5 Hersteller : STMicroelectronics STE145N65M5-dte.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 90A; ISOTOP; screw; Idm: 572A; 679W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 90A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12mΩ
Pulsed drain current: 572A
Power dissipation: 679W
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
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