STE88N65M5 STMicroelectronics
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Technische Details STE88N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STE88N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 88 A, 0.024 ohm, ISOTOP, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 494W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.
Weitere Produktangebote STE88N65M5
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STE88N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STE88N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 88 A, 0.024 ohm, ISOTOP, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 494W Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
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STE88N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 88A 4-Pin ISOTOP Tube |
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| STE88N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 88A 4-Pin ISOTOP Tube |
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STE88N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 650V; 55.7A; ISOTOP; screw; Idm: 352A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 650V Drain current: 55.7A Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 24mΩ Pulsed drain current: 352A Power dissipation: 494W Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Gate-source voltage: ±25V Kind of package: tube Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STE88N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 494W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: ISOTOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V |
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STE88N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 650V; 55.7A; ISOTOP; screw; Idm: 352A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 650V Drain current: 55.7A Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 24mΩ Pulsed drain current: 352A Power dissipation: 494W Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Gate-source voltage: ±25V Kind of package: tube Mechanical mounting: screw |
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