STE88N65M5

STE88N65M5 STMicroelectronics


en.DM00108808.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ 88 A MDmesh M5 Power MOSFET
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Technische Details STE88N65M5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STE88N65M5 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 88 A, 650 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 494W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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STE88N65M5 STE88N65M5 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.DM00108808.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STE88N65M5 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 88 A, 650 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 88A
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 494W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STE88N65M5 STE88N65M5 Hersteller : STMicroelectronics 693961303113941dm00108808.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 88A 4-Pin ISOTOP Tube
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STE88N65M5 STE88N65M5 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3A1368BDEC6411C&compId=STE88N65M5-DTE.pdf?ci_sign=e153247afb9f7bf642b9e995cf7a1482927d87a9 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 55.7A; ISOTOP; screw; Idm: 352A
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55.7A
Power dissipation: 494W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Pulsed drain current: 352A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
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STE88N65M5 STE88N65M5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00108808.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 494W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOTOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V
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STE88N65M5 STE88N65M5 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3A1368BDEC6411C&compId=STE88N65M5-DTE.pdf?ci_sign=e153247afb9f7bf642b9e995cf7a1482927d87a9 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 55.7A; ISOTOP; screw; Idm: 352A
Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 55.7A
Power dissipation: 494W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 24mΩ
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Pulsed drain current: 352A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
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