Weitere Produktangebote STF10N60DM2 nach Preis ab 1.09 EUR bis 3.4 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STF10N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1784 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF10N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 530mΩ Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STF10N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
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STF10N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 530mΩ Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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