STF11N65M5 STMicroelectronics
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 51+ | 2.88 EUR |
| 70+ | 2.01 EUR |
| 100+ | 1.78 EUR |
| 200+ | 1.61 EUR |
| 500+ | 1.46 EUR |
| 1000+ | 1.2 EUR |
| 2000+ | 1.12 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STF11N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STF11N65M5 nach Preis ab 1.37 EUR bis 3.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS |
auf Bestellung 507 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
STF11N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
STF11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
STF11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| STF11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| STF11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 36A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A Gate charge: 17nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
 |
STF11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| STF11N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 36A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A Gate charge: 17nC |
Produkt ist nicht verfügbar |