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STF11NM80

STF11NM80 STMicroelectronics

en.cd00003205.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details STF11NM80 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STF11NM80 STF11NM80 STMicroelectronics en.cd00003205.pdf description Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STF11NM80 STF11NM80 STMicroelectronics en.cd00003205.pdf description Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STF11NM80 STF11NM80 STMicroelectronics 706322785380960cd00003205.pdf description Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.4 EUR
25+6.97 EUR
50+6.57 EUR
100+6.2 EUR
250+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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STF11NM80 STF11NM80 STMicroelectronics STF11NM80-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9.02 EUR
17+5.24 EUR
50+4.62 EUR
100+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STF11NM80 STF11NM80 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0011462418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.84 EUR
38+6.18 EUR
100+5.41 EUR
500+4.88 EUR
1000+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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STF11NM80 STF11NM80 STMicroelectronics en.CD00003205.pdf description Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.3 EUR
50+7.7 EUR
100+7.06 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STF11NM80 STF11NM80 STMicroelectronics en.CD00003205.pdf description MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
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1+14.72 EUR
10+9.84 EUR
100+7.91 EUR
500+7.03 EUR
1000+6.24 EUR
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STF11NM80 ST en.CD00003205.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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STF11NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STF11NM80 description en.cd00003205.pdf
STF11NM80
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Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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STF11NM80 description 706322785380960cd00003205.pdf
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 391 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
24+7.4 EUR
25+6.97 EUR
50+6.57 EUR
100+6.2 EUR
250+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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STF11NM80 description STF11NM80-DTE.pdf
STF11NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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100+4.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STF11NM80
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
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Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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AnzahlPrivatkunde
20+12.84 EUR
38+6.18 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.72 EUR
10+9.84 EUR
100+7.91 EUR
500+7.03 EUR
1000+6.24 EUR
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Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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