STF12N65M2 STMicroelectronics
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Technische Details STF12N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF12N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STF12N65M2 nach Preis ab 1.17 EUR bis 3.04 EUR
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STF12N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V |
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STF12N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ 8 A MDmesh M2 Power MOSFET |
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STF12N65M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF12N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STF12N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF12N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| STF12N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| STF12N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STF12N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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