STF16N60M6 STMicroelectronics
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Technische Details STF16N60M6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF16N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.26 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm.
Weitere Produktangebote STF16N60M6 nach Preis ab 3.1 EUR bis 6.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STF16N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 600V TO220-3 FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V |
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STF16N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF16N60M6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF16N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.26 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M6 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm |
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STF16N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF16N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF16N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| STF16N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| STF16N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STF16N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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