STF18NM60N

STF18NM60N STMicroelectronics


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8DBE992930745&compId=STF18NM60N.pdf?ci_sign=7dc2107fc48167dda0aa718390cd0a3ed40273c2 Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 113 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.25 EUR
43+1.69 EUR
45+1.60 EUR
100+1.54 EUR
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Technische Details STF18NM60N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V.

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STF18NM60N STF18NM60N Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8DBE992930745&compId=STF18NM60N.pdf?ci_sign=7dc2107fc48167dda0aa718390cd0a3ed40273c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STF18NM60N STF18NM60N Hersteller : STMicroelectronics en.CD00238184.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
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STF18NM60N STF18NM60N Hersteller : STMicroelectronics en.CD00238184.pdf MOSFETs N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
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STF18NM60N STF18NM60N Hersteller : STMicroelectronics 1491558980011455cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STF18NM60N Hersteller : STMicroelectronics 1491558980011455cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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