
STF25N60M2-EP STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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23+ | 3.15 EUR |
24+ | 3.10 EUR |
32+ | 2.29 EUR |
33+ | 2.17 EUR |
100+ | 2.12 EUR |
250+ | 2.07 EUR |
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Technische Details STF25N60M2-EP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF25N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STF25N60M2-EP nach Preis ab 2.03 EUR bis 4.40 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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STF25N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 188mΩ Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF25N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1009 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF25N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 861 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF25N60M2-EP | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 504 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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