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STF25N60M2-EP

STF25N60M2-EP STMicroelectronics

79stf25n60m2-ep.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details STF25N60M2-EP STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF25N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STF25N60M2-EP STF25N60M2-EP Hersteller : STMicroelectronics STF25N60M2-EP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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STF25N60M2-EP STF25N60M2-EP Hersteller : STMicroelectronics STF25N60M2-EP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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STF25N60M2-EP STF25N60M2-EP Hersteller : STMicroelectronics STF25N60M2-EP.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
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4+6.6 EUR
50+ 5.24 EUR
100+ 4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STF25N60M2-EP STF25N60M2-EP Hersteller : STMicroelectronics stf25n60m2_ep-1850451.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
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10+ 5.62 EUR
25+ 5.3 EUR
100+ 4.52 EUR
250+ 4.29 EUR
500+ 4.03 EUR
1000+ 3.38 EUR
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STF25N60M2-EP STF25N60M2-EP Hersteller : STMICROELECTRONICS 2371885.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF25N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
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STF25N60M2-EP STF25N60M2-EP Hersteller : STMicroelectronics 79stf25n60m2-ep.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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