STF28N65M2 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 10.95 EUR |
| 33+ | 7.18 EUR |
| 100+ | 5.3 EUR |
| 500+ | 4.12 EUR |
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Technische Details STF28N65M2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 30W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.
Weitere Produktangebote STF28N65M2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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STF28N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Case: TO220FP Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.18Ω Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 30W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: tube Gate charge: 35nC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STF28N65M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.18Ω
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.18Ω
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)