STF28N65M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 5.79 EUR |
| 50+ | 2.93 EUR |
| 100+ | 2.67 EUR |
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Technische Details STF28N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STF28N65M2 nach Preis ab 2.02 EUR bis 23.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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STF28N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package |
auf Bestellung 914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF28N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF28N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF28N65M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF28N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STF28N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| STF28N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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