
STF38N65M5 STMicroelectronics
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.01 EUR |
10+ | 7.64 EUR |
25+ | 4.36 EUR |
100+ | 4.33 EUR |
500+ | 4.26 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STF38N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STF38N65M5 nach Preis ab 3.98 EUR bis 8.4 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF38N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
STF38N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 669 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
![]() |
STF38N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
![]() |
STF38N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
STF38N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
STF38N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
STF38N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |