STF38N65M5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
auf Bestellung 1308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 8.4 EUR |
| 50+ | 4.28 EUR |
| 100+ | 4.25 EUR |
| 500+ | 4.07 EUR |
| 1000+ | 3.98 EUR |
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Technische Details STF38N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STF38N65M5 nach Preis ab 4.52 EUR bis 8.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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STF38N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 |
auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF38N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 669 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF38N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STF38N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STF38N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STF38N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STF38N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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