STF42N60M2-EP STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 10.93 EUR |
| 50+ | 5.87 EUR |
| 100+ | 5.39 EUR |
| 500+ | 4.53 EUR |
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Technische Details STF42N60M2-EP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STF42N60M2-EP
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STF42N60M2-EP | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF42N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STF42N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STF42N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STF42N60M2-EP | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 34A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 87mΩ Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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