Weitere Produktangebote STF6N65K3 nach Preis ab 1.04 EUR bis 5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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STF6N65K3 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 2830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF6N65K3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 2830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF6N65K3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF6N65K3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF6N65K3 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3 |
auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF6N65K3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF6N65K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.4 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF6N65K3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STF6N65K3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 5.4A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STF6N65K3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 21.6A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.4A Pulsed drain current: 21.6A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |