STF7N60DM2 STMicroelectronics


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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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Technische Details STF7N60DM2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STF7N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STF7N60DM2 STF7N60DM2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003534806-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STF7N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
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Produktpalette: MDmesh DM2 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
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STF7N60DM2 SGST-S-A0003534806-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF7N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Produktpalette: MDmesh DM2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
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