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STF7N60DM2 STMicroelectronics

Name: STF7N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 3772816-4
Price: 4.90 EUR
Availability: InStock

Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET

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Technische Details STF7N60DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

Weitere Produktangebote STF7N60DM2

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	STF7N60DM2	Hersteller : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	STF7N60DM2	Hersteller : STMicroelectronics	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 7.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH