STF9N60M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 8+ | 2.31 EUR |
| 100+ | 1.84 EUR |
| 500+ | 1.56 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |
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Technische Details STF9N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Weitere Produktangebote STF9N60M2 nach Preis ab 1.35 EUR bis 3.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STF9N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 |
auf Bestellung 2971 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STF9N60M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Plus productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF9N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STF9N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STF9N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF9N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 720mΩ Mounting: THT Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STF9N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 720mΩ Mounting: THT Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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