STF9NM60N STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 50 V
auf Bestellung 1359 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 6.68 EUR |
| 10+ | 5.53 EUR |
| 100+ | 4.41 EUR |
| 500+ | 3.73 EUR |
| 1000+ | 3.16 EUR |
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Technische Details STF9NM60N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF9NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 0.63 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.63ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STF9NM60N nach Preis ab 3.02 EUR bis 6.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STF9NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO |
auf Bestellung 801 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STF9NM60N | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF9NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 0.63 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.63ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF9NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STF9NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |