Weitere Produktangebote STFH10N60M2 nach Preis ab 1.16 EUR bis 3.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STFH10N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 MOSFETs N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cree |
auf Bestellung 1732 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STFH10N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FPAB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STFH10N60M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STFH10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh, M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |