Weitere Produktangebote STFH10N60M2 nach Preis ab 1.25 EUR bis 4.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STFH10N60M2 | STMicroelectronics |
 MOSFETs N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr |
auf Bestellung 1646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STFH10N60M2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FPAB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STFH10N60M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STFH10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh, M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| STFH10N60M2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFH10N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr
MOSFETs N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr
auf Bestellung 1646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 4.57 EUR |
| 10+ | 1.75 EUR |
| 100+ | 1.25 EUR |
| STFH10N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
auf Bestellung 1563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.66 EUR |
| 46+ | 2.31 EUR |
| 138+ | 1.95 EUR |
| 506+ | 1.63 EUR |
| 1012+ | 1.5 EUR |
| STFH10N60M2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STFH10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh, M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STFH10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh, M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STFH10N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 64+ | 2.77 EUR |
| 75+ | 2.28 EUR |
| 100+ | 1.82 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |