STFU10NK60Z

STFU10NK60Z STMicroelectronics


stfu10nk60z-1850917.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.68 Ohm typ 10 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP ultra narr
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Technische Details STFU10NK60Z STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STFU10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.68 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STFU10NK60Z STFU10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics en.DM00256590.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
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STFU10NK60Z STFU10NK60Z Hersteller : STMICROELECTRONICS en.DM00256590.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STFU10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.68 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STFU10NK60Z STFU10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 35013332474826612.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STFU10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 35013332474826612.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STFU10NK60Z STFU10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics en.DM00256590.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 48nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STFU10NK60Z STFU10NK60Z Hersteller : STMicroelectronics en.DM00256590.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
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