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STFW12N120K5

STFW12N120K5 STMicroelectronics


stf12n120k5-1850388.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge
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Technische Details STFW12N120K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 1200V 12A ISOWATT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-3PF, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V.

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STFW12N120K5 STFW12N120K5 Hersteller : STMicroelectronics 729700698531532dm00117846.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
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STFW12N120K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00117846.pdf STFW12N120K5 THT N channel transistors
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STFW12N120K5 STFW12N120K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00117846.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 12A ISOWATT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
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