STGAP2SICSACTR STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSACTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiCMOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: CMOS, TTL
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 270 Stücke:
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Technische Details STGAP2SICSACTR STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSACTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), WSOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4A, Treiberkonfiguration: -, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: SiCMOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q100, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: CMOS, TTL, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STGAP2SICSACTR | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSACTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: CMOS, TTL usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.25V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGAP2SICSACTR | Hersteller : STMicroelectronics |
Driver 1-OUT Half Brdg Non-Inv Automotive 8-Pin SO W T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGAP2SICSACTR | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 1 Supply voltage: 3.1...5.25V Output voltage: 1.2kV Output current: -4...4A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 30ns Number of channels: 1 Integrated circuit features: galvanically isolated Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Case: SO8-W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STGAP2SICSACTR | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DGTL ISO 3.53KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Voltage - Isolation: 3530Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.25V Qualification: AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGAP2SICSACTR | Hersteller : STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGAP2SICSACTR | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 1 Supply voltage: 3.1...5.25V Output voltage: 1.2kV Output current: -4...4A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 30ns Number of channels: 1 Integrated circuit features: galvanically isolated Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Case: SO8-W |
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