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STGB10H60DF

STGB10H60DF STMicroelectronics

stgb10h60df.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details STGB10H60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 107 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns, Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 57 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 115 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGB10H60DF STGB10H60DF STMicroelectronics stgb10h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB10H60DF STGB10H60DF STMicroelectronics en.DM00092752.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns
Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
auf Bestellung 2099 Stücke:
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10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.57 EUR
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STGB10H60DF STGB10H60DF STMicroelectronics en.DM00092752.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
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10+2.95 EUR
100+2.01 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.52 EUR
2000+1.44 EUR
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STGB10H60DF STMICROELECTRONICS en.DM00092752.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGB10H60DF - IGBT, 20 A, 1.5 V, 115 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
73+3.18 EUR
108+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
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Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
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euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
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isCanonical: Y
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Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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