STGB18N40LZT4 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 420V 30A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 29 nC
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 W
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Technische Details STGB18N40LZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGB18N40LZT4 - IGBT, 30 A, 1.35 V, 150 W, 390 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 30A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STGB18N40LZT4 nach Preis ab 1.45 EUR bis 4.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STGB18N40LZT4 | STMicroelectronics |
IGBTs EAS 180 mJ-400 V |
auf Bestellung 1213 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGB18N40LZT4 | STMicroelectronics |
Description: IGBT 420V 30A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 150 W Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Active Gate Charge: 29 nC Test Condition: 300V, 10A, 5V Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs Supplier Device Package: D2PAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A Input Type: Logic Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGB18N40LZT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB18N40LZT4 - IGBT, 30 A, 1.35 V, 150 W, 390 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STGB18N40LZT4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs EAS 180 mJ-400 V
IGBTs EAS 180 mJ-400 V
auf Bestellung 1213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.74 EUR |
| 10+ | 3.03 EUR |
| 100+ | 2.09 EUR |
| 500+ | 1.67 EUR |
| 1000+ | 1.54 EUR |
| 2000+ | 1.45 EUR |
| STGB18N40LZT4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 420V 30A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 29 nC
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IGBT 420V 30A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 29 nC
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.82 EUR |
| 10+ | 3.09 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.71 EUR |
| STGB18N40LZT4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB18N40LZT4 - IGBT, 30 A, 1.35 V, 150 W, 390 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STGB18N40LZT4 - IGBT, 30 A, 1.35 V, 150 W, 390 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)