STGB18N40LZT4 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 420V 30A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 29 nC
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 W
| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 1.33 EUR |
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Technische Details STGB18N40LZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGB18N40LZT4 - IGBT, 30 A, 1.35 V, 150 W, 390 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 30A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STGB18N40LZT4 nach Preis ab 1.22 EUR bis 4.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STGB18N40LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs EAS 180 mJ-400 V |
auf Bestellung 1264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGB18N40LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 420V 30A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 150 W Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Active Gate Charge: 29 nC Test Condition: 300V, 10A, 5V Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs Supplier Device Package: D2PAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A Input Type: Logic Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGB18N40LZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB18N40LZT4 - IGBT, 30 A, 1.35 V, 150 W, 390 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB18N40LZT4 | Hersteller : STM |
IGBT 400V 30A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGB18N40LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 390V; 30A; 150W; D2PAK; automotive industry; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 390V Collector current: 30A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped Application: automotive industry Version: ESD |
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