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STGB20M65DF2

STGB20M65DF2 STMicroelectronics

stgb20m65df2-1850751.pdf Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
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Technische Details STGB20M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 166 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: D2PAK, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns, Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 63 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 166 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STGB20M65DF2 STGB20M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00244727.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns
Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 166 W
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STGB20M65DF2 STGB20M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics stgb20m65df2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB20M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics stgb20m65df2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB20M65DF2 STGB20M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics stgb20m65df2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB20M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00244727.pdf STGB20M65DF2 SMD IGBT transistors
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STGB20M65DF2 STGB20M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00244727.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns
Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
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